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dbldongV2EX 第 431589 号会员，加入于 2019-07-24 11:16:02 +08:00 |
| 有什么简单好用的表格插件吗， handsontable 挺合适，可惜是收费的 程序员 • dbldong • 2021-01-27 21:18:35 PM |
| 问个问题，一个不太了解后端技术的前端，如何去面试一个 Java 后端? 程序员 • dbldong • 2021-01-28 10:58:03 AM • 最后回复来自 wangmn | 34 |
| 请问，一次存大量数据，后台操作时间较长，如何在前端展示进度 问与答 • dbldong • 2020-11-19 16:51:34 PM • 最后回复来自 caryqy | 11 |
| 求推荐一个记录和管理产品版本更新的工具 问与答 • dbldong • 2020-10-23 10:36:41 AM • 最后回复来自 cmdOptionKana | 2 |
| 在自定义和扩展方面哪个富文本编辑器最好用? 程序员 • dbldong • 2020-12-27 02:57:56 AM • 最后回复来自 zhdsuperm | 19 |
| 骑车上下班 30km, 感觉运动量不是很够
1 健康 • dbldong • 2020-06-10 09:50:33 AM • 最后回复来自 rainysia
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| 都 2020 年了, 还有公司只能用 jquery 开发的吗 程序员 • dbldong • 2020-07-02 15:32:19 PM • 最后回复来自 roundgis | 64 |
| 列表页跳转到详情页, 返回, 如何让列表页不刷新 问与答 • dbldong • 2020-05-28 18:21:53 PM • 最后回复来自 dbldong | 6 |
| 怎么快速做一个商城 新手求助 • dbldong • 2020-05-11 18:47:27 PM • 最后回复来自 coolworker | 5 |
| 迫于太菜,求推荐 app 的开发方案和框架 新手求助 • dbldong • 2020-02-24 19:31:57 PM • 最后回复来自 tangkaichuan | 44 |
dbldong 最近回复了
2021-02-22 11:46:36 +08:00 回复了 overthemoon 创建的主题 › 职场话题 › 今年裸辞的多吗 |
初七早上一到公司就辞了，但是我答应了把项目做完再走，怎么也得一个多月以后才能离职
2021-01-27 13:50:27 +08:00 回复了 dbldong 创建的主题 › 程序员 › 问个问题，一个不太了解后端技术的前端，如何去面试一个 Java 后端? |
@wangmn 兄弟，你是怎么面的？
2021-01-25 15:23:06 +08:00 回复了 dbldong 创建的主题 › 程序员 › 问个问题，一个不太了解后端技术的前端，如何去面试一个 Java 后端? |
@madworks 魔都，老哥要锻炼什么
2021-01-25 15:22:00 +08:00 回复了 dbldong 创建的主题 › 程序员 › 问个问题，一个不太了解后端技术的前端，如何去面试一个 Java 后端? |
2020-11-09 11:30:32 +08:00 回复了 fedfrank 创建的主题 › 推广 › 2020 年双十一抽奖（2019 新款 iPad 抽奖送，话费楼层随机送），有兴趣的可以看看（前端开发工程师相关） |
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2020-11-02 17:55:21 +08:00 回复了 eth 创建的主题 › 推广 › [抽奖]送出超声波清洗机 10+台 还有更多双 11 福利等你拿~ |
分母+1
2020-10-26 15:27:40 +08:00 回复了 jamfer 创建的主题 › 推广 › 回馈 V2，送一把樱桃红轴的 71 键双模机械键盘 |
翻页分母
2020-09-07 10:02:34 +08:00 回复了 zionHH 创建的主题 › 问与答 › 最近全国频发的长租公寓跑路，有没有中招的 |
前年就中招了，上海寓见，搞了一年才把贷款消掉，现在还住在那，直接和房东签的
2020-09-03 09:46:45 +08:00 回复了 bobyang 创建的主题 › 问与答 › 手机软件装多了手机会变重吗？ |
随便百度了一下，直接复制粘贴过来
先来看看闪存存储数据的原理(机械介质存储的原理与之类似)。作为一个永久性的存储设备，闪存是由一个一个晶体管构成的，每一个晶体管有两种状态，一种是充电，一种是放电，分别代表 1 和 0，从而产生二进制的数据。一个晶体管由栅极、漏极和源极组成，从下面的图片，我们可以看的更直观一些。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。NAND 型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电或放电。充电之后，系统就标记为“0”，放电之后就标记为“1”。通俗地说，充电的过程，实际上就是将一堆电子团固定在栅极中，而放电就是释放掉这些固定住的电子。然，将这些电子保持固定在栅极中是需要消耗一定的能源，根据 E=mc2，也就是有一些质量被维持在栅极中，尽管这些质量微乎其微。这里引用下加州大学伯克利分校的计算机科学教授约翰·库比亚特维兹（ John D. Kubiatowicz ）的数据：一个 4GB 的闪存，在两种不同的状态之间大约有 1.7 乘以 10 的负 5 次方焦耳的能量差，换算成质量大约是 10 的负 18 次方克这个级别。没错，手机在安装大量应用后确实这变重了！但变化之微小，已经是人类的秤所无法称出的水平了。那么我们再来钻牛角尖一点。如果你们手机存满的数据，那么你一定要用这个手机，用手机就要摸它，摸会造成两个后果，其一是手机外壳被磨损，当然这个磨损是原子级别的，另外一个后果就是手上的物质粘到手机上，同样可能也是分子、原子级别的。因此，综合这多的因素，在一个装满的 APP 的手机上，手机重量是比一个新的更重了还是更轻了，完全是一个随机量，这个随机量取决于你的人品……
先来看看闪存存储数据的原理(机械介质存储的原理与之类似)。作为一个永久性的存储设备，闪存是由一个一个晶体管构成的，每一个晶体管有两种状态，一种是充电，一种是放电，分别代表 1 和 0，从而产生二进制的数据。一个晶体管由栅极、漏极和源极组成，从下面的图片，我们可以看的更直观一些。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。NAND 型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电或放电。充电之后，系统就标记为“0”，放电之后就标记为“1”。通俗地说，充电的过程，实际上就是将一堆电子团固定在栅极中，而放电就是释放掉这些固定住的电子。然，将这些电子保持固定在栅极中是需要消耗一定的能源，根据 E=mc2，也就是有一些质量被维持在栅极中，尽管这些质量微乎其微。这里引用下加州大学伯克利分校的计算机科学教授约翰·库比亚特维兹（ John D. Kubiatowicz ）的数据：一个 4GB 的闪存，在两种不同的状态之间大约有 1.7 乘以 10 的负 5 次方焦耳的能量差，换算成质量大约是 10 的负 18 次方克这个级别。没错，手机在安装大量应用后确实这变重了！但变化之微小，已经是人类的秤所无法称出的水平了。那么我们再来钻牛角尖一点。如果你们手机存满的数据，那么你一定要用这个手机，用手机就要摸它，摸会造成两个后果，其一是手机外壳被磨损，当然这个磨损是原子级别的，另外一个后果就是手上的物质粘到手机上，同样可能也是分子、原子级别的。因此，综合这多的因素，在一个装满的 APP 的手机上，手机重量是比一个新的更重了还是更轻了，完全是一个随机量，这个随机量取决于你的人品……
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